香醇咖啡

RAM 是指關電之後資料會消失的記憶體. SRAM 和 DRAM 的差別在於 DRAM 的結構是一個電晶體(Transistor)再加上一個電容(Capacitor), 也就是 1T1C 的結構, 而電容所存的電荷會隨時間而流失, 所以 DRAM 需要再加個控制 IC, 三不五時幫 DRAM 充電一下, 這叫 refresh 動作. 而 SRAM 多半是採用 6T 的結構, 沒有電容, 也就不需要 refresh. 也就是說, 只要是需要 refresh 的記憶體, 就是 DRAM. (像 ROM、NAND、NOR 這種關機後資料也不會消失的記憶體, 也是不需要 refresh 的)

DRAM 早期是要比 CPU 快很多的, 但是 CPU 進度的速度很快, 可是 DRAM 的速度卻漸漸趕不上 CPU. 到了 486 的時代, 為了彌補 DRAM 速度的不足, 開始使用 SRAM 當 cache. 所謂 cache, 就是緩衝器, 原理是說, 要讀寫資料時, 下一筆資料往往和上一筆在差不多的位置, 或者是剛才才寫入的資料. 由於 DRAM 太慢了, 而 SRAM 快個好幾倍, 所以要讀 DRAM 的資料時, 先讀多一點到 SRAM, 但是只把 CPU 要的送給 CPU. 如果 CPU 再要資料, 而且這個資料已經包含在 SRAM 剛才多讀的資料中時, 就直接從 SRAM 餵資料給 CPU, 不再跑到 DRAM 去讀了. 在寫資料時也是一樣, 先寫到 SRAM 之中, 等有空時再存到 DRAM 裏, 否則 DRAM 實在太慢了. (註: 硬碟比 DRAM 更慢, 所以硬碟是用 DRAM 當 cache)

因為 SRAM 貴, 所以有人就把一部分的 cache 功能整合到 DRAM 模組裏, 後來就有了 EDO DRAM (Enhenced Data Output DRAM) 及 SDRAM (Synchronized DRAM). 到了 SDRAM 時代, DRAM 速度終於可以和 CPU 約略同步(Synchronized)了.

SDRAM 分為 SDR 及 DDR. 電腦裏的零組件, 有的快, 有的慢, 所以有的東西要資料時, 餵資料的還沒準備好; 有的東西要送資料時, 收資料的還沒準備好, 這就會發生誤接或漏接的情形. 於是電腦必須要有時脈(clock), 也就是會送出一個個的脈衝波. 大家在脈衝波到之前, 餵資料的先把資料準備好, 收資料的也先把自己淨空, 脈衝波上揚時, 大家一齊完成收發動作. SDR(Single Data Rate) 就是這樣. 到了 DDR(Double Data Rate) 時, 在脈衝上揚和下降時, 各作一次動作, 所以速度等於是兩倍. DDR 又分 DDR1, DDR2, DDR3, 主要是時脈不同, 電壓也不同, 但是他們都是 DRAM.

當然, DRAM 還有用在手機、消費性電子(電視、DVD、數位相機...), 他們的規格和主流 DRAM (commodity DRAM) 不同, 所以叫作特殊型 DRAM (Speciality DRAM). 其實呢, 很多的特殊型 DRAM, 就是主流型 DRAM 往下一世代走之後, 原來的主流型 DRAM, 就成了特殊型 DRAM 了. 比如 DDR 被 DDR2 取代之後, 現在 DDR 就成了特殊型 DRAM.

DRAM 的單元基本架構雖然都是 1T1C, 但是時脈不同、電壓不同、匯流排長度不同(主機板大概是用每顆 8 bit, 然後 8 顆晶片湊成 64 bit, 而獨立型顯示卡或消費性電子可能是用 16 bit 或 32 bit)、省電性等, 所以不同的 DRAM, 並不能共用.

資料來源：http://tw.knowledge.yahoo.com/question/question?qid=1507090305359&q=1608111710322&p=dram

香菸為何如此可怕？

因為，香菸燃燒後可產生四千餘種化合物，其中有尼古丁、焦油、一氧化碳及四十種以上致癌物，個個是健康殺手，以尼古丁為例，它會增快心跳速率、升高血壓、引起末梢血管收縮，長期易致心臟血管疾病，也會導致腦細胞麻痺，引發失憶、工作能力降低、甚至中風，另外它具有中樞神經興奮、提神的作用，也是香菸讓人成癮的主因。

焦油則會阻塞、刺激氣管及肺部，是慢性支氣管炎及肺氣腫的元兇，也會造成多種癌症；一氧化碳則會阻礙氧氣與血紅素結合，使體內缺氧，影響思維與判斷力！

許馨文醫師指出，吸菸增加的心臟病風險將少一半，戒菸5-15年，中風機率與不吸菸者相當，戒菸10年，肺癌機率是吸菸者一半，口腔、喉、食道、膀胱、腎臟、胰臟癌的機率都降低，戒菸15年後，心臟病機率已與一般人相同。

另外，每天吸菸一包，一年將花費13000至25000元不等，20年下來累積近50萬元，足可買一輛新車，戒菸省下的錢可以用在更有意義的事物上。而戒菸更大的好處是能完全掌控自己，不再精神恍惚、渴求菸草，可以輕鬆地工作，不必浪費許多時間找地方吸菸。

戒菸是一種暫時現象，常見不適包括：

一、昏眩、頭暈及頭痛。可以躺五分鐘，做放鬆脖子及上身的運動，或出外呼吸新鮮空氣。
二、嘴巴乾燥。緩解之道可以喝點水、果汁、牛奶，或是刷牙、做深呼吸，吸氣維持五秒鐘才呼出。
三、咳嗽。建議儘可能溫和地咳，喝杯溫水潤濕嘴巴。
四、焦慮緊張。可做幾下深呼吸、做些輕鬆的柔軟操或散步，也可轉移思緒，想些愉快的事情。
五、憂鬱。此時需要大量運動，任何有氧運動都好，也可洗溫水澡，並以浴巾用力擦拭，幫助心情冷靜，或是喝果汁，想想令人振奮、快樂的事，如果心情持續不佳，應尋求醫師協助。
六、腹瀉。多吃固態食物，多喝水，少喝果汁，少吃水果，必要時應就醫。
七、便秘。可多吃水果及粗糙食物，儘量放輕鬆並運動，也可吃一些溫和的通便劑。

開始吸菸很容易，戒菸卻很難，只要吸菸超過兩根，50%的青少年會上癮，所以未曾吸菸的人，千萬別碰第一根菸，踏上慢性自殺之路；而已抽菸且決定戒菸的人，許馨文醫師建議，應先想好戒菸的理由及益處，尋求家人朋友的支持鼓勵，或參加戒菸班，也可撥打戒菸專線0800-636363 尋求諮詢服務。戒菸考驗你的決心與毅力，但只有避免成為菸的奴隸，才會擁有喜悅及健康。

資料來源：http://www.uho.com.tw/hotnews.asp?aid=5317

快閃記憶體（Flash memory），記憶卡與隨身碟。快閃記憶體是一種特殊的、以大區塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除掉就會清除掉整顆晶片上的資料。

快閃記憶體的成本遠較可以位元組為單位寫入的EEPROM來的低，也因此成為非揮發性固態儲存最重要也最廣為採納的技術。像是PDA, 筆記型電腦, 數位隨身聽, 數位相機與手機上均可見到快閃記憶體。此外，快閃記憶體在遊戲主機上的採用也日漸增加，藉以取代儲存遊戲資料用的EEPROM或帶有電池的SRAM。

快閃記憶體是非揮發性的記憶體。這表示單就保存資料而言, 它是不需要消耗電力的。此外快閃記憶體也具有相當低的讀取延遲(雖然沒有電腦主記憶體的DRAM那麼快)。與硬碟相比，快閃記憶體也有更佳的動態抗震性。這些特性正是快閃記憶體被行動裝置廣泛採用的原因。快閃記憶體還有一項特性：當它被製成記憶卡時非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。

雖然快閃記憶體在技術上屬於EEPROM，但是 「EEPROM」 這個字眼通常特指非快閃式、以小區塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是位元組。 因為老式的EEPROM抹除循環相當緩慢，相形之下快閃記體較大的抹除區塊在寫入大量資料時帶給其顯著的速度優勢。

SanDisk Cruzer Titanium 隨身碟的印刷電路板上的Samsung快閃記憶體（左）與單片機（右）

快閃記憶體(無論是NOR型或NAND型)是舛岡富士雄博士在1984年於東芝公司工作時發明的。 據東芝表示快閃記憶體的 「Flash」 是舛岡博士的同事所持有泉建議的。因為這種記憶體的抹除流程讓他想起了相機的閃光燈。舛岡博士在1984年的加州舊金山IEEE國際電子元件大會(International Electron Devices Meeting, IEDM)上發表了這項發明。Intel看到了這項發明的巨大潛力，並於1988年推出第一款商業性的NOR Flash晶片。

NOR Flash需要很長的時間進行抹寫，但是它提供完整的定址與資料匯流排，並允許隨機存取記憶體上的任何區域，這使的它非常適合取代老式的ROM晶片。當時ROM晶片主要用來儲存幾乎不需更新的程式碼，例如電腦的BIOS或機上盒(Set-top Box)的韌體。NOR Flash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環，它同時也是早期的可移除式快閃儲存媒體的基礎。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎的，雖然它之後跳槽到成本較低的 NAND Flash。 東芝在1989年的國際固態電路學會(ISSCC)上發表了NAND Flash。NAND Flash具有較快的抹寫時間, 而且每個儲存單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較於NOR Flash具有較高的儲存密度與較低的每位元成本。同時它的可抹除次數也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O介面並沒有隨機存取外部定址匯流排，它必須以區塊性的方式進行讀取，NAND Flash典型的區塊大小是數百至數千位元。

因為多數微處理器與微控制器要求位元組等級的隨機存取，所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程式的ROM。從這樣的角度看來，NAND Flash比較像光碟、硬碟這類的次級儲存裝置。NAND Flash非常適合用於記憶卡之類的大量儲存裝置。第一款建立在NAND Flash基礎上的可移除式儲存媒體是SmartMedia，此後許多儲存媒體也跟著採用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。

運作原理

NOR flash 的寫入與其在矽晶上的結構

快閃記憶體將資料儲存在由浮閘電晶體組成的記憶單元陣列內，在單階儲存單元(Single-level cell, SLC)裝置中，每個單元只儲存1位元的資訊。而多階儲存單元(Multi-level cell, MLC)裝置則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以儲存1位元以上的資料。

NOR Flash

藉由熱電子注入寫入一個NOR Flash記憶單元(將其在邏輯上設為 0)

藉由量子穿隧抹除一個NOR Flash記憶單元(將其在邏輯上設為 1)

NOR 閘快閃記憶體的每個儲存單元類似一個標準MOSFET, 除了電晶體有兩個而非一個閘極。在頂部的是控制閘（Control Gate, CG），如同其他MOS電晶體。但是它下方則是一個以氧化物層與週遭絕緣的浮閘（Floating Gate, FG）。這個FG放在CG與MOSFET通道之間。由於這個FG在電氣上是受絕緣層獨立的, 所以進入的電子會被困在裡面。在一般的條件下電荷經過多年都不會逸散。當FG抓到電荷時，它部分屏蔽掉來自CG的電場，並改變這個單元的閥電壓（VT）。在讀出期間。利用向CG的電壓，MOSFET通道會變的導電或保持絕緣。這視乎該單元的VT而定（而該單元的VT受到FG上的電荷控制）。這股電流流過MOSFET通道，並以二進位碼的方式讀出、再現儲存的資料。在每單元儲存1位元以上的資料的MLC裝置中，為了能夠更精確的測定FG中的電荷位準，則是以感應電流的量（而非單純的有或無）達成的。

邏輯上，單層NOR Flash單元在預設狀態代表二進位碼中的「1」值，因為在以特定的電壓值控制閘極時，電流會流經通道。經由以下流程，NOR Flash 單元可以被設定為二進位碼中的「0」值。

• 1. 對CG施加高電壓（通常大於5V）。
  
• 2. 現在通道是開的，所以電子可以從源極流入汲極（想像它是NMOS電晶體）。
  
• 3. 源-汲電流夠高了，足以導致某些高能電子越過絕緣層，並進入絕緣層上的FG，這種過程稱為熱電子注入。

由於汲極與CG間有一個大的、相反的極性電壓，藉由量子穿隧效應可以將電子拉出FG，所以能夠地用這個特性抹除NOR Flash單元(將其重設為「1」狀態)。現代的NOR Flash晶片被分為若干抹除片段(常稱為區扇(Blocks or sectors))，抹除操作只能以這些區塊為基礎進行；所有區塊內的記憶單元都會被一起抹除。不過一般而言，寫入NOR Flash單元的動作卻可以單一位元組的方式進行。

雖然抹寫都需要高電壓才能進行，不過實際上現今所有快閃記憶體晶片是藉由晶片內的電荷幫浦產生足夠的電壓，所以只需要一個單一的電壓供應即可。

NAND Flash

NAND flash 一個快閃記憶體儲存單元

NAND 閘快閃記憶體利用穿隧注入(Tunnel injection)寫入，以及穿隧釋放(Tunnel release)抹除。NAND Flash在今天的隨身碟與多數記憶卡上都可看到。

產業界

有一個來源指出在2008年Flash業界產銷約值91億美元，蘋果公司是第三大的快閃記憶體買家, 大約消耗總產量的13％。其他來源則認為快閃記憶體市場在2006年時的規模超過20億美元，佔據全部半導體市場的8％；在記憶體半導體中則有34％的比重。

區塊抹除

快閃記憶體的一種限制在於即使它可以單一位元組的方式讀或寫入，但是抹除一定是一整個區塊。一般來說都是設定某一區中的所有位元為「1」，剛開始區塊內的所有部份都可以寫入，然而當有任何一個位元被設為「0」時，就只能藉由清除整個區塊來回復「1」的狀態。換句話說快閃記憶體(特別是NOR Flash)能提供隨機讀取與寫入操作，卻無法提供任意的隨機覆寫。不過其上的區塊可以寫入與既存的「0」值一樣長的訊息(新值的0位元是舊值的0位元的超集合)。例如：有一小區塊的值已抹除為1111，然後寫入1110的訊息。接下來這個區塊還可以依序寫入1010、0010，最後則是0000。可是實做上少有演算法可以從這種連續寫入相容性得到好處，一般來說還是整塊抹除再重寫。 儘管快閃記憶體的資料結構不能完全以一般的方式做更新，但這允許它以「標記為不可用」的方式刪除訊息。這種技巧在每單元儲存大於1位元資料的MLC裝置中必須稍微做點修改。

記憶保存

另一項快閃記憶體的限制是它有抹寫循環的次數限制(大多商業性SLC快閃記憶體保證「0」區有十萬次的抹寫能力，但其他區塊不保證)。這個結果部分地被某些韌體或檔案系統為了在相異區塊間安排寫入操作而進行的計算寫入次數與動態重測所抵銷；這種技巧稱為耗損平衡。另一種處理方法稱為壞區管理(Bad Block Management, BBM)。這種方法是在寫入時做驗證並進行動態重測，如果有驗證失敗的區塊就加以剔除。 對多數行動裝置而言，這些磨損管理技術可以延長其內部快閃記憶體的壽命(甚至超出這些裝置的使用年限)。此外，遺失部分資料在這些裝置上或許是可接受的。至於會進行大量資料讀寫循環的高可靠性資料儲存應用則不建議使用快閃記憶體。不過這種限制不適用於路由器與瘦客戶端(Thin clients)等唯讀式應用，這些裝置往往在使用年限內也只會寫入一次或少數幾次而已。

低階存取

快閃記憶體晶片的低階介面通常與透過支援外界的定址匯流排行隨機存取的DRAM、ROM、EEPROM等記憶體不同。 NOR Flash本身為讀取操作(支援隨機存取)提供外部定址匯流排；至於解鎖、抹除與寫入則須以區塊-區塊(Block-by-block)的方式進行，典型的區塊大小為64、128或256位元組。NAND Flash所有的動作都必須以區塊性基礎(Block-wise fashion)執行，包含讀、寫、解鎖與抹除。

NOR Flash

從NOR Flash讀取資料的方式與從RAM讀取資料相近，只要提供資料的位址，資料匯流排就可以正確的繪出資料。基於以上原因，多數微處理器可以將NOR Flash當作原地執行(Execute in place, XIP)記憶體使用，這意味著儲存在NOR Flash上的程式不需複製到RAM就可以直接執行。由於NOR Flash沒有原生壞區管理，所以一旦儲存區塊發生毀損，軟體或驅動程式必須接手這個問題，否則可能會導致裝置發生異常。 在解鎖、抹除或寫入NOR Flash區塊時，特殊的指令會先寫入已繪測的記憶區的第一頁(Page)。接著快閃記憶晶片會提供可用的指令清單給實體驅動程式，而這些指令是由一般性快閃記憶體介面(Common Flash memory Interface, CFI)所界定的。 與用於隨機存取的ROM不同，NOR Flash也可以用在儲存裝置上；不過與NAND Flash相比，NOR Flash的寫入速度一般來說會慢很多。

NAND Flash

東芝在1989年發表了NAND Flash架構，這種記憶體的存取方式類似硬碟之類的區塊性儲存裝置，每個區塊構成幾個頁。一般來說這些頁的尺寸為512、2048或4096位元組。各個頁之間彼此會有幾個位元組的關聯性(一般而言是12~16位元組)，這些空間用於儲存偵錯與糾錯的校驗和。以下是一些典型的區塊大小與其內部包含的關連性尺寸：

• 每32個512位元組的頁包含1個16kB的關連性區塊
  
• 每64個2048位元組的頁包含1個128kB的關連性區塊
  
• 每64個4096位元組的頁包含1個256kB的關連性區塊
  
• 每128個4096位元組的頁包含1個512kB的關連性區塊

當寫入建立在這種「頁」的基礎上時，抹除便只能以區塊性的方法進行。NAND Flash還有一項限制就是區塊內的資料只能序列性的寫入。操作次數(Number of Operations, NOPs)則代表區扇可以被寫入的次數。目前MLC的NOPs是1；而SLC則是4。 NAND Flash也要求裝置驅動程式、軟體或分離的控制晶片進行壞區管理，例如SD卡內部便包含壞區管理與耗損平衡的電路。當一個邏輯區被高階軟體存取時，實際繪測的工作由驅動程式或控制器進行。

資料來源：http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=%E9%97%AA%E5%AD%98&variant=zh-tw

mpeg2-TS與mpeg2有什麼不同?
MPEG2 有 Transport Stream, Program Stream 和 Element Stream 分別以 TS, PS, 和 ES 簡稱.
TS 檔通常以 TS 作為延伸檔名,而一般 MPEG 延伸檔名的檔案則為 PS 檔
TS 檔相較於 PS 檔而言通常應用在傳輸影像較容易產生錯誤的情境如數位廣播以及網路影像串流,例如影音資料是以封包方式傳輸,但是到達目的地的先後次序未必會如同原始傳輸的次序 (Ex. 無線傳輸時,電波訊號因阻礙物折射,網路傳輸時每個封包 routing 的路徑不一都會產生),因此必須紀錄每一個封包的先後次序以便到達目的地時可以重新組合. PS 影像通常都是預錄的影音資料,其傳輸環境比較單純,並不需影音封包紀錄先後次序,因此如果你將 TS 檔轉成 PS 檔後會發現 PS檔案會比較小.
此外ES 檔是將影音資料 Demultiplex 並分別以　.MPV 和 .MPA 延伸檔名處理, 一些高階的影音編碼器針對特定的影音資料要做最佳化時 (multi path VBR), 通常並須先將 PS stream demux 為 ES Stream, 針對影音資料分別處理後,在mutiplex 成 PS Stream.

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　剎那0.018秒 阿秒再快1萬億倍

　阿秒有多快？佛家說的一「剎那」，相當於0.018秒，已如電光石火，一閃即過，但仍是一阿秒的1萬億倍。在1阿秒中，即便快如光速也只能走0.3奈米，相當於3個原子的距離。科學家不斷追求極小的事物及極短暫的變化，目前全世界最短的脈衝已達到80阿秒，但使用的是軟X光，無法打進物體裡，實用性較小；中研院則領先世界製出單一周期、波寬達440阿秒的紫外光，凝態物體皆能穿透。

　440阿秒、甚至是未來的阿秒脈衝，能對我們的生活有什麼幫助呢？中央研究院原子與分子科學所研究員孔慶昌舉例，半導體產業發展的28奈米製程半導體，要觀察電子在如此細微尺度的運動與變化，就需約100阿秒的脈衝，才能達到需要的解析度。

　高速物理發展項目 開創新世界

　在學術運用上，電子在氫核子繞1圈約需24阿秒。目前科技無法觀測，只能「想像」，未來若能發展出阿秒脈衝，就能認證目前所想像的模式，甚至改進、推翻、發展出另一套模式。

　「這是為後面100百年作準備！」孔慶昌說。100多年前（1888年）德國科學家赫茲證明電磁波的存在，實驗室的外頭，還在騎馬車、燃燒煤炭，連他自己都不確定他發現的「沒有線的波」，在日常生活中有任何應用。但現在人人拿著手機，電視、電台傳遞訊號，人們已無法想像沒有電磁波的世界。

　觀察電子的變化 推進電磁應用

　科學家的工作是先瞭解物理特性，之後才能有發明；而新的發明，也能改正過去錯誤的觀念。舉例來說，當初人們以為馬在急速奔跑時，必須要有一隻腿接觸地面，但快速照相技術發明後，證實馬事實上是騰空躍起，四隻腳都離開地面。貓舔牛奶時，亦不如一般想像是向外捲屈舌頭把牛奶盛進口中，而是向內彎曲，在舌底下方把牛奶帶進口中。這些都是在快速攝影技術發展出來後，才揭露在人類眼前的真相。

　分子、原子、電子的運動，是科學家熱中研究的項目，前中研院院長李遠哲即以分子動力學為題獲得諾貝爾獎。1970年代，科學家發明的雷射脈衝已可達到秒10（-12）（皮秒），可看到分子運轉時發生的過程；1990年代，進展至秒10（-15）（飛秒），科學家可觀察分子的震盪運動，及原子與原子核外的變化。但要看到原子分子內電子的變化，就需達到秒10（-18）（阿秒）。

　細胞DNA瞬間現形 解癌症之謎

　唯有觀察至如此細微，科學家才能在第一時間抓到電子與周邊交互作用的細節，目前只能觀察後續作用。有朝一日，雷射脈衝攝影技術發展至阿秒，將可看到細胞內DNA分子、電子的跳躍，使得DNA突變的瞬間現形，或許可以解開癌症之謎，這是指日可待的。